時間:2010-03-04 點擊: 次 來源:互聯(lián)網(wǎng) 作者:佚名 - 小 + 大
最近有網(wǎng)友咨詢內(nèi)存的基本知識。現(xiàn)在我就簡單的給大家做個介紹吧。內(nèi)存,它伴隨著計算機的誕生而出現(xiàn),到今天計算機與內(nèi)存更是不離不舍,內(nèi)存是組成計算機的重要部件,就連通常說的“最小系統(tǒng)”也不能放棄內(nèi)存。因此我們在使用和購買內(nèi)存的時候都必須對內(nèi)存有一個全面的認識。 內(nèi)存基礎(chǔ)知識之內(nèi)存延遲:內(nèi)存延遲時間決定了內(nèi)存的性能,這個參數(shù)越小,內(nèi)存性能越好。內(nèi)存延遲通常采用4個數(shù)字表示,中間用“-”隔開,以“5-4-4-12”為例,第一個數(shù)代表CAS(Column Address Strobe)延遲時間,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間,即通常說的CL值;第二個數(shù)代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延遲,表示內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間;第三個數(shù)表示RAS Prechiarge延遲(內(nèi)存行地址脈沖預(yù)充電時間);最后一個數(shù)則是Act-to-Prechiarge延遲(內(nèi)存行地址選擇延遲)。這4個延遲中最重要的指標是第一個參數(shù)CAS,它代表內(nèi)存接收到一條指令后要等待多少個時間周期才能執(zhí)行任務(wù),就像開車從發(fā)現(xiàn)危險到剎車一樣需要一定的反應(yīng)時間。這個時間只有長短之分而不可能消除,內(nèi)存的CL值也不可能消除,一般來說頻率相同的內(nèi)存CL值越小性能就越高。內(nèi)存基礎(chǔ)知識
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